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元件参数资料
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参数目录39843
> FDT86113LZ MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223
型号:
FDT86113LZ
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDT86113LZ PDF
标准包装
4,000
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 3.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
315pF @ 50V
功率 - 最大
2.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
查看FDT86113LZ代理商
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